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| 规格书 |
 NTD65N03R |
| 文档 |
Multiple Devices 11/Jul/2008 |
| 产品更改通知 | LTB Notification |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8.4 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 16nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1400pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
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